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BA159 Datenblatt(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor

Teilenummer BA159
Bauteilbeschribung  Fast Silicon Rectifier Diodes ??Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
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Hersteller  DIOTEC [Diotec Semiconductor]
Direct Link  http://www.diotec.com
Logo DIOTEC - Diotec Semiconductor

BA159 Datenblatt(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor

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BA157 ... BA159
BA157 ... BA159
Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2009-10-16
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
400...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-41
DO-204AL
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings and characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspanng.
VRSM [V]
Typ. junction capacitance
Typ. Sperrschichtkapazität
Cj [pF] 1)
BA157
400
400
12
BA158
600
600
12
BA159
1000
1000
12
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
1 A 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
35/40 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
6 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 300 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 2)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 15 K/W
1
Measured at f = 1 MHz, VR = 4 V – Gemessen bei f = 1 MHz, VR = 4 V
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Ø 0.77±0.07
Ø 2.6
-0.1


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