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BC338-XBK Datenblatt(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor |
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BC338-XBK Datenblatt(HTML) 2 Page - Diotec Semiconductor |
2 / 2 page BC337-xBK / BC338-xBK Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) VCE = 1 V, IC = 300 mA, VBE – – 1.2 V Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom VCE = 45 V, (B-E short) VCE = 25 V, (B-E short) BC337 BC338 ICES ICES – – 2 nA 2 nA 100 nA 100 nA VCE = 45 V, Tj = 125°C, (B-E short) VCE = 25 V, Tj = 125°C, (B-E short) BC337 BC338 ICES ICES – – – – 10 µA 10 µA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz fT – 100 MHz – Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 12 pF – Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 1) Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC327 / BC328 Available current gain groups per type Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ BC337-16 BC337-25 BC337-40 BC338-16 BC338-25 BC338-40 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG [%] P tot 120 100 80 60 40 20 0 [°C] T A 150 100 50 0 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 1 |
Ähnliche Teilenummer - BC338-XBK |
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Ähnliche Beschreibung - BC338-XBK |
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