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Bauteilbezeichnung
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2SJ659 Datenblatt(Datasheet) 3 Page - Sanyo Semicon Device

Teile-Nr. 2SJ659
Beschreibung  P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
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Hersteller  SANYO [Sanyo Semicon Device]
Homepage  http://www.ssdc-jp.com/eng/
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 3 page
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2SJ659
No.8584-3/4
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Tc
ID -- VDS
ID -- VGS
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IS -- VSD
yfs -- ID
SW Time -- ID
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Drain Current, ID -- A
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Diode Forward Voltage, VSD -- V
3
100
10
7
5
2
3
1000
7
5
2
3
10000
7
5
2
3
10
1.0
7
5
2
3
100
7
5
2
3
1000
7
5
2
50
100
150
200
250
300
350
--50
--25
0
25
5075
100
125
150
0
--50
--100
--150
--200
--250
--300
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
IT08727
IT08728
IT08725
IT08726
0--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
0--30
--10
--15
--20
--25
--5
IT08732
IT08730
IT08729
0
0--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
VGS= --3V
--4V
--6V
--10V
Tc=
25
°C
ID= --7A
Tc=75
°C
25°C
--25°C
I D
= --
7A,
V GS
= --
4V
I D=
--7A,
V GS
= --10V
f=1MHz
Coss
Ciss
Crss
IT08731
23
5
7
--10
--0.1
23
5
7
--1.0
td(off)
tf
td(on)
tr
VDD= --30V
VGS= --10V
VDS= --10V
--1.5
--1.2
--0.6
--0.3
--0.9
0
--0.01
--0.1
5
7
3
2
--1.0
5
7
3
2
--10
5
7
3
2
--100
5
7
3
2
3
1.0
7
5
3
10
7
5
2
3
100
7
5
2
--1.0
--10
23
5
7
--0.1
23
5
7
23
Tc=
--25
°C
75°
C
25°
C
VDS= --10V
VGS=0V




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