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CPH5857 Datenblatt(Datasheet) 3 Page - Sanyo Semicon Device

Teile-Nr. CPH5857
Beschreibung  MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
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Hersteller  SANYO [Sanyo Semicon Device]
Homepage  http://www.ssdc-jp.com/eng/
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 3 page
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CPH5857
No. A0547-3/6
Switching Time Test Circuit
trr Test Circuit
[MOSFET]
[SBD]
PW=10µs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID= --800mA
RL=12.5Ω
VDD= --10V
VOUT
CPH5857
VIN
0V
--4V
VIN
Duty≤10%
50Ω
100Ω
10Ω
--5V
trr
10µs
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0--1
--2
--3
--4
--5
--6
100
200
300
400
500
600
0
--7
--8
--9
--10
IT02733
0
0
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--0.2
--1.2
--1.0
0
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--1.2
--1.0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
VGS= --1.5V
IT02731
0--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
VDS= --10V
IT02732
IT02734
ID=
--0.4A,
VGS
= --2.5V
ID=
--0.8A,
VGS
= --4.0V
0
100
200
300
400
500
Ta=25
°C
--0.8A
ID= --0.4A
Ambient Temperature, Ta --
°C
RDS(on) -- Ta
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]




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