BAS16

BAS16

Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2009-01-29

Dimensions - Maße [mm]

1 = A

2 = n.c. /frei

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

85 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

BAS16

Power dissipation − Verlustleistung

310 mW 1)

Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

1 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung

85 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Forward voltage 2)

< 715 mV

< 855 mV

< 1.0 V

< 1.25 V

Leakage current

Sperrstrom

< 1 µA

< 30 µA

< 50 µA

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

2 pF

Reverse recovery time – Sperrverzug

< 6 ns

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9