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SPI10N10 Datenblatt(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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SPI10N10 Datenblatt(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 8 page 2002-01-31 Page 7 Preliminary data SPI10N10 SPP10N10,SPB10N10 13 Typ. avalanche energy EAS = f (Tj) par.: ID = 10.3 A , VDD = 25 V, RGS = 25 25 45 65 85 105 125 145 °C 185 Tj 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 mJ 60 14 Typ. gate charge VGS = f (QGate) parameter: ID = 10.3 A pulsed 0 4 8 12 16 nC 24 QGate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 SPP10N10 0,8 V DS max DS max V 0,2 15 Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = f (Tj) -60 -20 20 60 100 140 °C 200 Tj 90 92 94 96 98 100 102 104 106 108 110 112 114 V 120 SPP10N10 |
Ähnliche Teilenummer - SPI10N10 |
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Ähnliche Beschreibung - SPI10N10 |
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