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TIP127 Datenblatt(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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TIP127 Datenblatt(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page 1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 1 TIP125, TIP126, TIP127 Darlington Transistors PNP Si-Epitaxial PlanarTransistors PNP Si-Epitaxial PlanarTransistoren Version 2004-07-01 Collector current – Kollektorstrom 5 A Plastic case TO-220AB Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 2.2 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 1 = B1 2 = C2 3 = E2 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (T A = 25°C) Grenzwerte (T A = 25°C) TIP125 TIP126 TIP127 Collector-Emitter-voltage B open - V CE0 60 V 80 V 100 V Collector-Base-voltage E open - V CB0 60 V 80 V 100 V Emitter-Base-voltage C open - V EB0 50 V Power dissipation – Verlustleistung without cooling – ohne Kühlung with cooling – mit Kühlung T C = 25°C P tot P tot 2 W 1) 65 W Collector current – Kollektorstrom (dc) - I C 5 A Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I CM 8 A Base current – Basisstrom (dc) - I B 120 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur T j - 65…+ 150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur T S - 65…+ 150°C Characteristics (T j = 25°C) Kennwerte (T j = 25°C) Min. Typ. Max. Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom I B = 0, - VCE = 30 V I B = 0, - VCE = 40 V I B = 0, - VCE = 50 V TIP125 TIP126 TIP127 - I CE0 - I CE0 - I CE0 – – – – – – 500 nA 500 nA 500 nA Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom I E = 0, - VCB = 60 V I E = 0, - VCB = 80 V I E = 0, - VCB = 100 V TIP125 TIP126 TIP127 - I CB0 - I CB0 - I CB0 – – – – – – 200 nA 200 nA 200 nA |
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