4

01.11.2003

12

3

Type

Code

0.3

1.3

BC 807W / BC 808W

General Purpose Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Power dissipation – Verlustleistung

225 mW

Plastic case

SOT-323

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Dimensions / Maße in mm

1 = B

2 = E

3 = C

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

BC 807W

BC 808W

Collector-Emitter-voltage

B open

- V

CE0

45 V

25 V

Collector-Emitter-voltage

B shorted

- V

CES

50 V

30 V

Collector-Base-voltage

E open

- V

CB0

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

C open

- V

EB0

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

Collector current – Kollektorstrom (DC)

- I

C

500 mA

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

- I

CM

1000 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

- I

BM

200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

I

EM

1000 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T

j

150

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 65…+ 150

Characteristics, T

Kennwerte, T

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V

BC807W

BC808W

h

FE

100

–

600

- V

h

FE

40

–

–

- V

Group -16W h

FE

100

160

250

Group -25W h

FE

160

250

400

Group -40W h

FE

250

400

600