Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile |
|
BZX55C10 Datenblatt(PDF) 4 Page - Diode Semiconductor Korea |
|
BZX55C10 Datenblatt(HTML) 4 Page - Diode Semiconductor Korea |
4 / 4 page FIG.2 -- BREAKDOWN CHARACTERISTICS BZX55---SERIES FIG.3 -- ADMISSIBLE POWER DISSIPATION VERSUS AMBIENT TEMPERATURE mW 500 400 300 100 200 0 0100 200℃ Ptot Tamb Test current Iz 5mA 0 0 10 10 20 IZ mA 30 C15 TJ=25 C 0 C10 C12 vZ 20 30 C27 40 V C33 C18 C22 BZX55... www.diode.kr Diode Semiconductor Korea |
Ähnliche Teilenummer - BZX55C10 |
|
Ähnliche Beschreibung - BZX55C10 |
|
|
Link URL |
Privatsphäre und Datenschutz |
ALLDATASHEETDE.COM |
War ALLDATASHEET hilfreich? [ DONATE ] |
Über Alldatasheet | Werbung | Kontakt | Privatsphäre und Datenschutz | Linktausch | Hersteller All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |